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[判断题]

半导体按导电类型分为P型半导体和N型半导体。()

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更多“半导体按导电类型分为P型半导体和N型半导体。()”相关的问题

第1题

关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。

A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质

C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质

D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

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第2题

以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。

A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

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第3题

如果计入表面态的影响,当表面态为施主态,且态密度足够大时,关于异质结能带结构的描述,正确的是?()

A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系

B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

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第4题

若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。

A.正,下弯,n型

B.负,上弯,n型

C.负,上弯,p型

D.负,下弯,p型

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第5题

室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】

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第6题

P型半导体中的多数载流子是()。

A.杂质离子

B.离子空位

C.电子

D.空穴

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第7题

N型半导体多数载流子是()

A.空穴

B.质子

C.电子

D.中子

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第8题

纯净半导体中掺入()元素可获得N型半导体。

A.二价

B.三价

C.四价

D.五价

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第9题

根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。

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第10题

非金属一般属于非导体,金属是良导体,而锗、硅、砷、硒等属于半导体。但半导体与导体不同之处是导电率随温度升高而增大。()
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第11题

纯净的半导体中,()有限,因而导电能力差。
纯净的半导体中,()有限,因而导电能力差。

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